Mit großer Trauer nehmen wir Abschied vom Gründer des Fraunhofer ISE, Prof. Adolf Goetzberger, der am 24. Februar 2023 im Alter von 94 Jahren verstorben ist. Die Photovoltaikbranche verliert in ihm einen geschätzten Wissenschaftler und visionären Vordenker. Und wir verlieren in ihm einen unermüdlichen Ideengeber und guten Freund, der das Institut bis ins hohe Alter mit regem Interesse begleitet hat.

Akademisches Wirken

Adolf Goetzberger promovierte nach einem Studium der Experimentalphysik 1955 an der Universität München und arbeitete anschließend zusammen mit dem Nobelpreisträger William Shockley im kalifornischen Palo Alto und in den Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey. 1968 kehrte er nach Deutschland zurück und übernahm die Leitung des Fraunhofer-Instituts IEW (Institut für Elektrowerkstoffe), das er in IAF (Institut für Angewandte Festkörperphysik) umbenannte. 1971 wurde Herr Goetzberger von der Universität Freiburg zum Honorarprofessor an der Fakultät für Physik ernannt und betreute in dieser Funktion zahlreiche Diplomarbeiten und Doktorarbeiten.

Sein wachsendes Interesse an der Solarenergienutzung führte 1977 zur Konzeption und Patentierung des Fluoreszenzkollektors (Fluko). Gegen besonders auch politische Widerstände setzte er die Gründung des Fraunhofer ISE am 01.07.1981 als Ausgliederung einer Arbeitsgruppe für Solare Energiesysteme durch. Das Institut, in dem von Beginn an die Einheit von Solarenergie- und Energiesystemtechnik gedacht wurde, wuchs rasch zu einem der führenden Institute für Solarforschung heran. Prof. Goetzberger leitete das Fraunhofer ISE bis zu seinem altersbedingtem Ausscheiden 1993.

Adolf Goetzberger hielt über 30 Patente. Seine gemeinsam mit Armin Zastrow bereits 1981 entwickelte Idee der Agri-Photovoltaik erlebt heute ihren Durchbruch. In vielen Gutachterausschüssen, Kuratorien, Kommissionen und Arbeitsgruppen wurden seine Mitarbeit und sein Urteil sehr geschätzt. So war Prof. Goetzberger von 1993 bis 1997 Präsident der Deutschen Gesellschaft für Sonnenenergie e. V. (DGS).

Preise und Ehrungen

• 1983: J. J. Ebers Award der IEEE Electron Devices Society für die Entwicklung des Silizium-Feldeffekttransistors
• 1989: Verdienstmedaille des Landes Baden-Württemberg
• 1992: Bundesverdienstkreuz erster Klasse
• 1993: Achievement through Action Award der ISES
• 1995: Ehrendoktorwürde der Universität Uppsala und Farrington Daniels Award der ISES
• 1997: Karl-Boer-Medaille, Becquerel-Preis und William R. Cherry Award
• 2006: Einstein Award der Solar World AG und European Solar Award der EUROSOLAR
• 2009: Europäischer Erfinderpreis des Europäischen Patentamts in der Kategorie „Lebenswerk“  

Unsere Gedanken sind in dieser schweren Zeit bei der Familie und den Freunden Adolf Goetzbergers. 

Wir verneigen uns vor dem Lebenswerk von Adolf Goetzberger und sind ihm für seine Verdienste zur Entwicklung der solaren Energiesysteme und damit seinen großen Beitrag für eine globale Energiewende zutiefst dankbar.

Prof. Dr. Andreas Bett und Prof. Dr. Hans-Martin Henning

Institutsleiter Fraunhofer ISE